| Номер детали производителя : | NCD57256DR2G |
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Состояние на складе : | 2500 pcs Stock |
| Описание : | ISOLATED DUAL OUTPUT MOSFET DRIV |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | NCD57256DR2G.pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | NCD57256DR2G |
|---|---|
| производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Описание | ISOLATED DUAL OUTPUT MOSFET DRIV |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | 2500 pcs |
| Спецификация | NCD57256DR2G.pdf |
| Напряжение - выходной подачий | 32V |
| Напряжение - Изоляция | 2500Vrms |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Тип) | - |
| Технологии | Capacitive Coupling |
| Поставщик Упаковка устройства | 16-SOIC |
| Серии | - |
| Время нарастания / спада (Typ) | 12ns, 10ns |
| Искажение ширины импульса (макс.) | 20ns |
| Задержка распространения tpLH / tpHL (макс.) | 80ns, 80ns |
| Упаковка / | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 125°C |
| Количество каналов | 2 |
| Тип установки | Surface Mount |
| Ток - Пик Выходной | 3.5A, 6.5A |
| Ток - Выходной High, Low | 3.5A, 3.5A |
| Переходный импеданс синфазного сигнала (мин.) | 100kV/µs |
| Агентство по утверждению | VDE |







HALF BRIDGE GATE DRIVER (ISOLATE
ISOLATED DUAL-CHANNEL IGBT/MOSFE
HALF BRIDGE GATE DRIVER (ISOLATE
ISOLATED DUAL OUTPUT IGBT DRIVER
IC ADC 12BIT 8X2QFN
ISOLATED DUAL-CHANNEL IGBT GATE
ISOLATED DUAL-CHANNEL IGBT GATE
3-PHASE, 60V GATE DRIVER FOR MOT
ISOLATED DUAL CHANNEL MOSFET GAT
IC ADC 12BIT 8X2QFN