NRVBBS20100CTT4G

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN NRVBBS20100CTT4G, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите все части в новом и оригинальном состоянии в RX Electronics. Это устройство имеет напряжение разбивки 1000 В, что делает его идеальным для высоковольтных систем, таких как EV Chargers, солнечные инверторы и моторные диски. При сопротивлении в штате (RDS (ON)) 20 МОм он обеспечивает минимальные потери проводимости, повышая общую эффективность системы. NRVBBS20100CTT4G предлагает быстрые скорости переключения, снижение потерь переключения и обеспечение более высоких частотных операций. Его надежный дизайн поддерживает высокотемпературные среды, обеспечивая надежную производительность в сложных условиях. Упакованный в формате TO-247-4L, этот MOSFET облегчает интеграцию в различные конструкции, предлагая улучшенное тепловое управление. Используя технологию SIC, NRVBBS20100CTT4G обеспечивает превосходную эффективность, меньшие форм-факторы и улучшенную плотность мощности по сравнению с традиционными решениями на основе кремния, что делает его предпочтительным выбором для Power Electronics следующего поколения. Пожалуйста, свяжитесь с нашей командой по продажам по адресу info@rxelectronics.com при более раннем удобстве. Мы уверены, что наша команда не разочарует вас. Спасибо за рассмотрение RX Electronics.