Номер детали производителя : | NSBC123JDXV6T1G |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Состояние на складе : | 4000 pcs Stock |
Описание : | TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | NSBC123JDXV6T1G(1).pdfNSBC123JDXV6T1G(2).pdfNSBC123JDXV6T1G(3).pdfNSBC123JDXV6T1G(4).pdfNSBC123JDXV6T1G(5).pdfNSBC123JDXV6T1G(6).pdfNSBC123JDXV6T1G(7).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | NSBC123JDXV6T1G |
---|---|
производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Описание | TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 4000 pcs |
Спецификация | NSBC123JDXV6T1G(1).pdfNSBC123JDXV6T1G(2).pdfNSBC123JDXV6T1G(3).pdfNSBC123JDXV6T1G(4).pdfNSBC123JDXV6T1G(5).pdfNSBC123JDXV6T1G(6).pdfNSBC123JDXV6T1G(7).pdf |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Тип транзистор | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Поставщик Упаковка устройства | SOT-563 |
Серии | - |
Резистор - основание эмиттера (R2) | 47kOhms |
Резистор - основание (R1) | 2.2kOhms |
Мощность - Макс | 500mW |
Упаковка / | SOT-563, SOT-666 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Тип установки | Surface Mount |
Частота - Переход | - |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 500nA |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
Базовый номер продукта | NSBC123 |
NSBC123JDP6 - DIGITAL BJT 2 NPN
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
NSBC123JF3 - DIGITAL BJT NPN - P
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123
TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563