NSVR0230P2T5G

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN NSVR0230P2T5G, к счастью, вы попали в нужно MOSFET (металлический оксид-полупроводник полевой транзистор), производимый на полупроводнике, предназначенный для обеспечения превосходной эффективности применения в преобразовании энергии. Это устройство характеризуется своим низким сопротивлением в государстве (RDS (ON)), что минимирирует потерю мощности и повышает общую производительность системы. Его надежный дизайн обеспечивает надежность даже в суровых условиях эксплуатации, что делает его идеальным выбором для промышленной, автомобильной и потребительской электроники, где эффективность пространства и тепловые характеристики имеют решающее значение.

Ключевые функции:
- Низкий RDS (ON): 2,3 МОм (максимум) при VGS = 10 В, снижение энергопотребления и тепло.
- Высокая надежность: работает в широком диапазоне температур (от -55 ° C до 175 ° C), подходящего для требовательных сред.
-Небольшой след: упакован в компактный пакет Toll-3.3-5, облегчая оптимизацию проектирования PCB (печатная плата).
- Улучшенные тепловые характеристики благодаря развитой технологии упаковки.

Приложения:
- Преобразователи постоянного тока/постоянного тока в системах вычислительных и коммуникационных систем.
- Системы автомобильного управления питанием, включая решения для зарядки электромобилей.
- Промышленные моторные системы управления и возобновляемых источников энергии, способствующие более эффективному использованию энергии.

NSVR0230P2T5G иллюстрирует приверженность полупроводника инновациям и качеству, предлагая мощное решение для электронных устройств следующего поколения.