Номер детали производителя : | NTH4L028N170M1 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Состояние на складе : | - |
Описание : | SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | NTH4L028N170M1.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | NTH4L028N170M1 |
---|---|
производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Описание | SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | NTH4L028N170M1.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 4.3V @ 20mA |
Vgs (макс.) | +25V, -15V |
Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) |
Поставщик Упаковка устройства | TO-247-4L |
Серии | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 60A, 20V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 535W (Tc) |
Упаковка / | TO-247-4 |
Упаковка | Tube |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Тип установки | Through Hole |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 4230 pF @ 800 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 200 nC @ 20 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 1700 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 81A (Tc) |
Базовый номер продукта | NTH4L02 |
SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4
SIC MOS TO247-4L 650V
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
SICFET N-CH 1200V 102A TO247
SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL