NTMFS5C442NLT1G

Подробности продукции

Поиск надежного источника для PN NTMFS5C442NLT1G имеет решающее значение, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите подлинный и надежный источник продуктов на RX Electronics. Это устройство оснащено сверхнизким RDS (ON) 2,9 МОм при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери проводимости и повышение эффективности схем преобразования мощности. Его максимальное напряжение источника дренажа (VDS) составляет 30 В, что делает его подходящим для применений низкого и среднего напряжения.

Одним из ключевых преимуществ этого MOSFET является его превосходная тепловая производительность благодаря его расширенной технологии упаковки. Он работает в широком диапазоне температур (от -55 ° C до 150 ° C), обеспечивая надежную производительность в суровых условиях. Небольшой след пакета LFPAK56 также допускает компактные проектные решения.

Общие приложения включают в себя синхронное исправление в преобразователях DC-DC, управлении двигателем и системами управления аккумуляторами. Его быстрое переключение и низкий заряд способствуют снижению потерь переключения, что делает его идеальным для высокочастотных приложений переключения. В целом, NTMFS5C442NLT1G предлагает надежное и эффективное решение для современной электроники.