NVT211CMTR2G

Подробности продукции

Если вам требуется поставка NVT211CMTR2G, то вы попали в нужное место! RX Electronics рада предложить наши исключительные услуги для удовлетворения ваших потребностей. NVT211CMTR2G, изготовленный на полупроводнике, представляет собой высокопроизводительный N-канальный MOSFET с низким уровнем напряжения, предназначенный для применений, требующих превосходной эффективности и компактности. Это устройство работает с максимальным напряжением дренажного источника (VDS) 30 В и может обрабатывать до 21а непрерывного тока дренажного тока (ID), что делает его идеальным для управления питанием в портативных устройствах, системах с батареей и точкой нагрузки. конвертеры. Его повышенная производительность объясняется его низким сопротивлением в гостях (RDS (ON)), что сводит к минимуму потери мощности во время работы, тем самым продлевая срок службы батареи и уменьшая генерацию тепла.

Ключевые функции:
- Низкий rds (ON): 1,7 МОм (MAX) @ VGS = 10 В, обеспечивая минимальное рассеяние мощности.
- Высокая частота переключения, подходящая для быстрого переключения приложений.
- Термически улучшенный пакет (DFN5x6-2) для эффективного рассеяния тепла.
- Встроенная защита от вторичного срыва и Avalanche Energy.

Приложения:
- Питание в мобильных телефонах и планшетах.
- Устройства с батарейным питанием, требующие высокой эффективности и компактной конструкции.
- Преобразователи DC-DC и драйверы светодиодного освещения, где ограничения пространства и тепловое управление имеют решающее значение.

NVT211CMTR2G сочетает в себе надежную производительность с надежностью, удовлетворяя широкому спектру потребностей в управлении электроэнергией в современном мире технологий. Цена и доставка В течение 24 часов мы искренне с нетерпением ждем сотрудничества с вами.