| Номер детали производителя : | NE3521M04-T2-A | Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
|---|---|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | CEL (California Eastern Laboratories) | Состояние на складе : | 3992 pcs Stock |
| Описание : | IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI | Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | NE3521M04-T2-A.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | NE3521M04-T2-A |
|---|---|
| производитель | CEL (California Eastern Laboratories) |
| Описание | IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 3992 pcs |
| Спецификация | NE3521M04-T2-A.pdf |
| Напряжение - испытания | 2V |
| Напряжение - Номинальный | 4V |
| Тип транзистор | N-Channel GaAs HJ-FET |
| Серии | - |
| Выходная мощность | - |
| упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка / | 4-SMD, Flat Leads |
| Другие названия | NE3521M04-T2-ATR |
| Коэффициент шума | 0.85dB |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Усиление | 11dB |
| частота | 20GHz |
| Подробное описание | RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 6mA 20GHz 11dB |
| Текущий рейтинг | 70mA |
| Ток - Тест | 6mA |







MAGNET 0.375"D X 0.125"THICK RND
MAGNET 0.375"D X 0.100"THICK RND

FET RF 4V 20GHZ S03

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI

RF K BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-C
MAGNET 0.375"D X 0.187"THICK RND

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
MAGNET 0.375"D X 0.062"THICK RND

FET RF 4V 20GHZ S03