| Номер детали производителя : | SIB417AEDK-T1-GE3 | Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
|---|---|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | Electro-Films (EFI) / Vishay | Состояние на складе : | 850 pcs Stock |
| Описание : | MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK | Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | SIB417AEDK-T1-GE3.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | SIB417AEDK-T1-GE3 |
|---|---|
| производитель | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Описание | MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 850 pcs |
| Спецификация | SIB417AEDK-T1-GE3.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±5V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PowerPAK® SC-75-6L Single |
| Серии | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) |
| упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка / | PowerPAK® SC-75-6L |
| Другие названия | SIB417AEDK-T1-GE3TR SIB417AEDKT1GE3 |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 878pF @ 4V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 18.5nC @ 5V |
| Тип FET | P-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 8V |
| Подробное описание | P-Channel 8V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Single |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 9A (Tc) |







MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
MOSFET P-CH 8V 9A PPAK SC75-6
MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6
MOSFET P-CH 30V 9A PPAK SC75-6
MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6
MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6
MOSFET N-CH 20V 9A SC-75-6
MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6
MOSFET P-CH 8V 9A PPAK SC75-6
MOSFET P-CH 8V 9A PPAK SC75-6