SIR638DP-T1-GE3

Подробности продукции

Поиск надежного источника для PN SIR638DP-T1-GE3 имеет решающее значение, к счастью, вы попали в нужное место, вы получите подлинный и надежный источник продуктов на RX Electronics. N-канальный MOSFET от Vishay Siliconix, предназначенный для приложений управления питанием. Этот IC-чип имеет ультра-низкую на резистентность (RDS (ON)) 2,5 МОм при VGS = 10 В, что значительно снижает потери проводимости и повышение эффективности системы. Устройство работает в пределах диапазона напряжения от 4,5 В до 15 В затвора в затвор, что делает его подходящим для широкого спектра мощности электроники.

Ключевые характеристики включают его способность обрабатывать непрерывные дренажные токи до 179А при 25 ° C, что обеспечивает надежную производительность в требовательных условиях. Он также предлагает быстрые скорости переключения, что сводит к минимуму потери переключения и повышает общую производительность цепи. SIR638DP-T1-GE3 расположен в компактном пакете DirectFet®, обеспечивающего превосходные преимущества термического рассеяния и экономии пространства.

Этот MOSFET широко используется в высокопрочных преобразователях DC/DC, двигательных приводах и системах управления аккумуляторами, где эффективность и надежность имеют решающее значение. Его низкие RDS (ON) и превосходные тепловые характеристики делают его идеальным выбором для применений, требующих высокой плотности мощности и минимальной генерации тепла. Пожалуйста, любезно нажмите «Запрос отправки», чтобы начать дальнейшие обсуждения с нами. До скорой встречи.