| Номер детали производителя : | SIS892DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Изготовитель / Производитель : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Состояние на складе : | 570 pcs Stock |
| Описание : | MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | SIS892DN-T1-GE3.pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | SIS892DN-T1-GE3 |
|---|---|
| производитель | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Описание | MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 570 pcs |
| Спецификация | SIS892DN-T1-GE3.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PowerPAK® 1212-8 |
| Серии | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 10A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка / | PowerPAK® 1212-8 |
| Другие названия | SIS892DN-T1-GE3TR SIS892DNT1GE3 |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 611pF @ 50V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 21.5nC @ 10V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100V |
| Подробное описание | N-Channel 100V 30A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 30A (Tc) |







MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
DUAL N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET
MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212
MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8
MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8
MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212
MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8
MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK
MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8