| Номер детали производителя : | SISA66DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Состояние на складе : | 31963 pcs Stock |
| Описание : | MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212 |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | SISA66DN-T1-GE3.pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | SISA66DN-T1-GE3 |
|---|---|
| производитель | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Описание | MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | 31963 pcs |
| Спецификация | SISA66DN-T1-GE3.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
| Vgs (макс.) | +20V, -16V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PowerPAK® 1212-8 |
| Серии | TrenchFET® Gen IV |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 15A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 52W (Tc) |
| упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка / | PowerPAK® 1212-8 |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Стандартное время изготовления | 32 Weeks |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 3014pF @ 15V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 66nC @ 10V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 30V |
| Подробное описание | N-Channel 30V 40A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 40A (Tc) |







MOSFET N-CH 20V 43.7A/162A PPAK
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S
MOSFET P-CH 30V 10A/16A PPAK
MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAK
MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8
MOSFET N-CH 40V 25.4A/94A PPAK
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8