| Номер детали производителя : | MURT40060 | Статус RoHS : | Соответствует RoHS |
|---|---|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | GeneSiC Semiconductor | Состояние на складе : | - |
| Описание : | DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER | Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | MURT40060(1).pdfMURT40060(2).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | MURT40060 |
|---|---|
| производитель | GeneSiC Semiconductor |
| Описание | DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | В наличии |
| Спецификация | MURT40060(1).pdfMURT40060(2).pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.7 V @ 200 A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600 V |
| Технологии | Standard |
| Поставщик Упаковка устройства | Three Tower |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Серии | - |
| Обратное время восстановления (ТИР) | 240 ns |
| Упаковка / | Three Tower |
| Упаковка | Bulk |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
| Тип установки | Chassis Mount |
| Диод Конфигурация | 1 Pair Common Cathode |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 25 µA @ 50 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) (за Diode) | 200A |







DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
DIODE MODULE 400V 200A 3TOWER
DIODE MODULE 200V 200A 3TOWER
DIODE MODULE 400V 200A 3TOWER
DIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWER
DIODE MODULE 200V 200A 3TOWER
DIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWER
DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER
DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER