| Номер детали производителя : | IS43DR16640C-3DBI | Статус RoHS : | Соответствует RoHS |
|---|---|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) | Состояние на складе : | 3602 pcs Stock |
| Описание : | IC DRAM 1G PARALLEL 333MHZ | Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | IS43DR16640C-3DBI.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | IS43DR16640C-3DBI |
|---|---|
| производитель | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
| Описание | IC DRAM 1G PARALLEL 333MHZ |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 3602 pcs |
| Спецификация | IS43DR16640C-3DBI.pdf |
| Время цикла записи - слово, страница | 15ns |
| Напряжение тока - поставка | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Технологии | SDRAM - DDR2 |
| Поставщик Упаковка устройства | 84-TFBGA (12.5x8) |
| Серии | - |
| Статус RoHS | RoHS Compliant |
| упаковка | Tray |
| Упаковка / | 84-TFBGA |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Тип памяти | Volatile |
| Размер памяти | 1Gb (64M x 16) |
| Интерфейс памяти | Parallel |
| Формат памяти | DRAM |
| Стандартное время изготовления | 6 Weeks |
| Подробное описание | SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 333MHz 450ns 84-TFBGA (12.5x8) |
| Тактовая частота | 333MHz |
| Время доступа | 450ns |







1G, 1.8V, DDR2, 64Mx16, 400Mhz @
IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA
IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA
IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA
1G, 1.8V, DDR2, 64Mx16, 333Mhz @
IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA
IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA
IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA
IC DRAM 1G PARALLEL 333MHZ
IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA