2EDN7523FXTMA1

Подробности продукции

Как эффективный и опытный дистрибьютор гибридной электроники, наша компания, RX Electronics., Предлагает широкий спектр качественных электронных компонентов, полученных непосредственно от всемирно известных производителей. Это устройство имеет ультра-низкую на растяжении (RDS (ON)) обычно 2,3 МОм при VGS = 10 В, что позволяет минимальные потери проводимости и повышенную эффективность. Его надежный дизайн поддерживает непрерывный канатный ток (ID) до 98 a, что делает его подходящим для требовательных задач управления питанием.

Ключевые преимущества включают быстрые скорости переключения, которые снижают потери переключения и превосходную тепловую стабильность, обеспечивая надежную работу в широком диапазоне температур. Чип также интегрирует защиту ESD, повышая долговечность в суровых условиях. Он расположен в пакете для пропускных пунктов с компактом, который облегчает эффективное рассеяние тепла.

Этот MOSFET превосходит в различных приложениях, таких как управление двигателем, преобразователи DC-DC, системы управления батареей и автомобильная электроника. Его высокая тока и низкие RDS (ON) делают его идеальным для конструкций, требующих высокой эффективности и плотности мощности. В целом, 2EDN7523FXTMA1 предлагает убедительный баланс производительности, надежности и простоты интеграции. Пожалуйста, свяжитесь с нашей командой по продажам или отправьте электронное письмо по адресу info@rxelectronics.com, надеюсь, мы сможем сотрудничать в будущем.