BSC016N06NSATMA1

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN BSC016N06NSATMA1, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите все части в новом и оригинальном состоянии в RX Electronics. BSC016N06NSATMA1 из технологий Infineon-это высокопроизводительный MOSFET, предназначенный для эффективного управления мощностью в различных электронных приложениях. Этот MOSFET режима N-канала режима имеет низкий уровень устойчивости (RDS (ON)) обычно 1,6 МОм при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери мощности и повышенную эффективность системы. Размещаемый в компактном и бездомном (платном) пакете, он поддерживает поверхностную сборку, обеспечивая более высокую плотность мощности и улучшает тепловые характеристики.

Благодаря максимальному напряжению дренажного источника (VDS) 60 В и непрерывным током дренажного тока (ID) до 124A BSC016N06NSATMA1 идеально подходит для требовательных приложений, таких как управление двигателем, преобразователи DC-DC и расходные материалы. Его надежный дизайн включает в себя такие функции, как заряд низких затворов для более быстрого переключения и превосходную прочность на то, что электрические скачки. Кроме того, устройство соответствует автомобильным стандартам, что делает его подходящим как для промышленной, так и для автомобильной среды. Доказанное качество Infineon обеспечивает надежную работу в широком диапазоне температур (от -55 ° C до 175 ° C). Проверьте цитату bsc016n06nsatma1 и оставьте свое сообщение по адресу info@rxelectronics.com.