BSM50GB170DN2HOSA1

Подробности продукции

Поиск надежного источника для PN BSM50GB170DN2HOSA1 имеет решающее значение, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите подлинный и надежный источник продуктов в RX Electronics. BSM50GB170DN2HOSA1 от инфнеонов Technologies представляет собой высокоэффективную MOSFET, предназначенное для эффективного устранения энергии. Он имеет низкое сопротивление в штате (RDS (ON)) обычно 1,7 МОм при VGS = 10 В, что позволяет минимальные потери проводимости и повышая эффективность системы. С рейтингом напряжения источника дренажного источника (VDS) 170 В и способностью непрерывного тока дренажа (ID) составляет до 50А, он поддерживает надежную работу в требовательных приложениях. Его быстрая скорость переключения снижает потери переключения, что делает его идеальным для высокочастотных конструкций. Устройство использует технологию Trenchstop ™, обеспечивая превосходные тепловые характеристики и надежность. Размещаемый в компактном пакете D2PAK-7 (HOSA1), он предлагает улучшенную термическую диссипацию и простоту интеграции. Этот MOSFET широко используется в автомобильных и промышленных приложениях, таких как управление двигателями, преобразователи DC-DC и системы управления батареями, где эффективность, долговечность и компактный дизайн являются критическими. Пожалуйста, нажмите «Отправить запрос», чтобы начать дальнейшие обсуждения с нами. До скорой встречи.