BSZ110N06NS3GATMA1

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN BSZ110N06NS3GATMA1, к счастью, вы попали в нужное место, вы получите все части в новом и оригинальном состоянии в RX Electronics. BSZ110N06NS3Gatma1 от Infineon Technologies-это высокая высокопрофессиональная, высокопроизвольная Низковольтный N-канальный MOSFET, предназначенный для эффективных применений переключения. Это устройство оснащено сверхнизким RDS (ON) 1,1 МОм (типично), что обеспечивает минимальные потери проводимости и повышенную эффективность системы. Его надежная конструкция поддерживает высокие возможности импульсного тока, обеспечивая надежную работу в требовательных условиях.

Ключевые преимущества включают снижение энергопотребления, повышенные тепловые характеристики и компактную упаковку, подходящую для конструкций с ограниченным пространством. Быстрая скорость переключения MOSFET сводит к минимуму потери переключения, что делает его идеальным для высокочастотных приложений. Он также предлагает отличные характеристики лавины и прочности, обеспечивая превосходную защиту от переходных пиков напряжения.

Общие применения для этого МОСФЕТА включают управление двигателем, преобразователи DC-DC, системы управления аккумуляторами и потребительскую электронику. Его универсальность и эффективность делают его предпочтительным выбором для дизайнеров, стремящихся оптимизировать производительность при одновременном снижении общей стоимости и средств системы. Цена и время выполнения заказа для BSZ110N06NS3Gatma1 В зависимости от требуемого количества, пожалуйста, отправьте свой запрос, наша команда продаж предоставит вам цену цену. И доставка в течение 24 часов мы искренне с нетерпением ждем сотрудничества с вами.