DD171N12KAHPSA1

Подробности продукции

Являясь эффективным и опытным дистрибьютором гибридной электроники, наша компания RX ELECTRONICS предоставляет широкий выбор высококачественных электронных компонентов. Infineon DD171N12KAHPSA1 — это SiC MOSFET с напряжением 1200 В и сопротивлением 17 мОм в корпусе TO-247-4L, предназначенный для высокоэффективного преобразования энергии. Он имеет низкое сопротивление в открытом состоянии и заряд затвора, что обеспечивает превосходные характеристики переключения и снижает потери в высокочастотных приложениях. Четвертый вывод (источник Кельвина) минимизирует индуктивность контура затвора, повышая стабильность и точность управления. Изготовленный по прочной технологии карбида кремния, он обеспечивает отличную теплопроводность и надежность в условиях высоких температур. Ключевые преимущества включают более высокую эффективность, меньшие по размеру пассивные компоненты благодаря более быстрому переключению и улучшенную плотность мощности. Идеально подходит для требовательных приложений, таких как приводы промышленных двигателей, системы возобновляемых источников энергии (например, солнечные инверторы), инфраструктура зарядки электромобилей и высокопроизводительные импульсные источники питания. Его прочная конструкция обеспечивает долговременную надежность в суровых условиях, что делает его предпочтительным выбором для энергосистем следующего поколения, стремящихся максимизировать эффективность и уменьшить размер системы. Запросите ценовое предложение DD171N12KAHPSA1 и оставьте свое сообщение по адресу info@rxelectronics.com.