FS35R12W1T4B11BOMA1

Подробности продукции

Как эффективный и опытный гибридный дистрибьютор электроники, наша компания, RX Electronics., Предлагает широкий спектр качественных электронных компонентов, полученных непосредственно из мировых производителей. FS35R12W1T4B11BOMA1 из Infineon Technologies является высокоэффективным IGBT (INSELED BATE BIPOLAR Transistor), созданный для эффективного применения в промышленном припасе в промышленном и эффективном применении. Этот IC -чип имеет рейтинг напряжения 1200 В и текущий рейтинг 35A, что обеспечивает надежную производительность в требовательных условиях. Его ключевые характеристики включают низкие потери переключения, высокую тепловую надежность и превосходную возможность противостояния короткого замыкания, что делает его идеальным для инверторов, моторных дисков и систем солнечной энергии.

В этом модуле используется технология IGBT TrenchStop ™, которая повышает эффективность и снижает потребление энергии. Устройство также интегрирует расширенные диоды мягкого восстановления, чтобы минимизировать электромагнитные помехи (EMI). Его компактная конструкция и оптимизированное тепловое управление обеспечивают более высокую плотность мощности в меньших форм -факторах. Общие применения включают зарядные станции электромобилей, системы возобновляемых источников энергии и оборудование для промышленной автоматизации, где имеет решающее значение надежное и эффективное обработку электроэнергии. Благодаря превосходной производительности и долговечности, FS35R12W1T4B11BOMA1 поддерживает Power Electronics Solutions.