FZ1200R33HE3BPSA1

Подробности продукции

Если вам требуется поставка FZ1200R33HE3BPSA1, то вы попали в нужное место! RX Electronics рада предложить наши исключительные услуги для удовлетворения ваших потребностей. FZ1200R33HE3BPSA1 от Infineon Technologies-это высокопроизводительный модуль IGBT (биполярный транзистор IGBT (изолированные затворы), предназначенный для эффективного преобразования энергии в промышленных и возобновляемых энергетических приложениях. Этот IC-чип имеет блокирующее напряжение 1200 В, что делает его подходящим для высоковольтных сред, одновременно предлагая низкое напряжение в штате, чтобы минимизировать потери мощности. Он включает в себя расширенную технологию полета траншеи, которая повышает производительность переключения и тепловую стабильность.

Ключевые характеристики включают высокую способность обработки тока, отличную надежность короткого замыкания и диапазон температуры рабочего соединения от -40 ° C до +150 ° C, что обеспечивает надежную работу в экстремальных условиях. Его компактная конструкция уменьшает размер системы и вес, что способствует более высокой плотности мощности.

Этот модуль широко используется в солнечных инверторах, двигательных приводах, непрерывных расходных материалах (UPS) и других системах электроники, где эффективность и надежность имеют решающее значение. Интеграция FZ1200R33HE3BPSA1, инженеры могут достичь превосходной производительности системы с уменьшенным потреблением энергии. Пожалуйста, свяжитесь с нашим командой по продажам по адресу info@rxelectronics.com при более раннем удобстве. Мы уверены, что наша команда не разочарует вас. Спасибо за рассмотрение RX Electronics.