IGD01N120H2BUMA1

Подробности продукции

Поиск надежного источника для PN IGD01N120H2BUMA1 имеет решающее значение, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите подлинный и надежный источник продуктов на RX Electronics. IGD01N120H2Buma1-модуль с высоким уровнем изолированного транзистора (IGBT). Произведено Infineon Technologies, ведущим глобальным производителем полупроводников. Это устройство предназначено для обеспечения превосходной эффективности и надежности в приложениях преобразования питания. С максимальным напряжением коллекционера-эмиттера (VCE) 1200 В и максимальным током коллектора (IC) 1 ампер, оно хорошо подходит для применений, требующих надежных производительности в условиях высоковольтных условий. Ключевые функции включают низкие потери проводимости, расширенную способность термического циклического цикла и компактную конструкцию, которая облегчает легкую интеграцию в различные системы. IGD01N120H2BUMA1 находит широкое использование в системах возобновляемых источников энергии, таких как солнечные инверторы и контроллеры ветряных турбин, а также на зарядных станциях электромобилей и промышленных электроэнергии. Его надежная работа в суровых условиях окружающей среды делает его идеальным выбором для требовательных приложений, где согласованность производительности имеет решающее значение. Крайне обращайтесь к нашей команде по продажам по адресу info@rxelectronics.com для получения дополнительной информации и деталей. Мы находимся в вашем сервисе в любое время!