IPA075N15N3GXKSA1

Подробности продукции

Как эффективный и опытный дистрибьютор гибридной электроники, наша компания, RX Electronics., Предлагает широкий спектр качественных электронных компонентов, полученных непосредственно от всемирно известных производителей. Это устройство имеет низкий RDS (ON) 7,5 МОм при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери проводимости и высокую эффективность в операциях переключения. Его надежная конструкция поддерживает рейтинг напряжения дренажного источника (VDS) 150 В, что делает его подходящим для широкого спектра напряжений в промышленных и автомобильных средах.

Ключевые преимущества включают быстрые скорости переключения, которые снижают потери переключения и улучшают общую производительность системы. Чип также может похвастаться превосходной термической стабильностью и надежностью благодаря передовой технологии Trench Infineon. Это обеспечивает постоянную производительность даже в суровых условиях.

Приложения для этого пролета MOSFET в различных секторах, включая управление двигателем, преобразователи DC-DC и солнечные инверторы. Его компактная площадь и превосходные электрические характеристики делают его идеальным выбором для дизайнов, где пространство и эффективность являются критическими соображениями. Цена и время выполнения заказа для IPA075N15N3GXKSA1 В зависимости от необходимого количества, пожалуйста, отправьте нам запрос, наша команда продаж предоставит вам цену и доставку в течение 24 часов, мы искренне с нетерпением ждем, чтобы мы собирались с вами.