IPA60R600C6XKSA1

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN IPA60R600C6XKSA1, к счастью, вы попали в нужное место, вы получите все детали в новом и оригинальном состоянии в RX Electronics. Карбид (SIC) MOSFET, предназначенный для требовательных приложений для преобразования электроэнергии. Это устройство имеет ультра-низкое сопротивление в штате (RDS (ON)) 600 МОм при 25 ° C, что обеспечивает минимальные потери проводимости и повышение эффективности энергетических систем. Его номинальное напряжение составляет 650 В, что делает его подходящим для высоковольтных сред.

Одним из ключевых преимуществ этого SIC MOSFET является его превосходная тепловая производительность, обеспечивая более высокую плотность мощности и снижение требований к охлаждению. Быстрая скорость переключения значительно снижает потери переключения, что имеет решающее значение для применений, требующих высокочастотной работы. Кроме того, надежный диод тела поддерживает двунаправленный поток тока, упрощая конструкцию схемы.

IPA60R600C6XKSA1 находит широкое использование в различных отраслях, включая системы возобновляемых источников энергии, такие как солнечные инверторы, зарядные станции электромобилей (EV) и промышленные моторные диски. Его компактный пакет D2PAK-7 также облегчает легкую интеграцию в существующие проекты, предлагая инженерам гибкость и надежность в приложениях Power Electronics.Please Свяжитесь с нашей командой по продажам по адресу info@rxelectronics.com при более раннем удобстве. Мы уверены, что наша команда не разочарует вас. Спасибо за рассмотрение RX Electronics.