IPB030N08N3GATMA1

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN IPB030N08N3Gatma1, к счастью, вы попали в нужное место, вы получите все детали в новом и оригинальном состоянии в RX Electronics. Это устройство оснащено сверхнизким настойчивости (RDS (ON)) 3,0 МОм при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери проводимости и повышение эффективности применения в преобразовании мощности. Его максимальное напряжение источника дренажного источника (VDS) составляет 80 В, что делает его подходящим для автомобильной и промышленной среды, где устойчивость против шипов напряжения имеет решающее значение.

Ключевые преимущества включают быстрые скорости переключения, снижение потерь переключения и повышение общей эффективности системы. Термически улучшенный пакет SO-8 способствует лучшему рассеянию тепла, что обеспечивает надежную работу в требовательных условиях. Этот MOSFET также предлагает низкий заряд затвора (QG), что дополнительно способствует эффективной производительности переключения.

Общие приложения для IPB030N08N3Gatma1 включают управление двигателем, преобразователи DC-DC и системы управления аккумуляторами в автомобильной электронике, а также системы промышленной автоматизации и возобновляемых энергии. Его прочный дизайн обеспечивает стабильную производительность в суровых условиях, что делает его идеальным выбором для дизайнеров, ищущих надежность и эффективность. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нашей команде по продажам по адресу info@rxelectronics.com для дальнейших обсуждений.