IPB04N03LA G

Подробности продукции

В качестве эффективного и опытного гибридного дистрибьютора электроники, наша компания-RX Electronics-обеспечивает огромный выбор высококачественных электронных компонентов. IPB04N03LA G-современный MOSFET (металлический окись-символ-символ, транзистор) транзистор) Разработанный и изготовлен Infineon Technologies, мировым лидером в области полупроводниковых решений. Это высокопроизводительное устройство характеризуется его низким уровнем устойчивости, что делает его идеальным для применений, требующих высокой эффективности и плотности мощности. С максимальным напряжением источника источника 30 В и типичным RDS (ON) всего 4,1 мД при напряжении от 10 В при 10 В, IPB04N03LA G превосходит в приложениях переключения. Его компактная мощность SO-8 пакет обеспечивает пространство для экономии пространства в различных электронных системах. Обычно встречается в устройствах с батарейным питанием, телекоммуникационной инфраструктурой и промышленными приложениями, этот MOSFET поддерживает быстрое переключение при сохранении низких потерь мощности, обеспечивая надежную производительность в широком диапазоне условий работы. Пожалуйста, нажмите «Отправить запрос», чтобы начать дальнейшие обсуждения. с нами. До скорой встречи.