| Номер детали производителя : | IPB34CN10NGATMA1 | Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
|---|---|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | International Rectifier (Infineon Technologies) | Состояние на складе : | 6110 pcs Stock |
| Описание : | MOSFET N-CH 100V 27A TO263-3 | Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | IPB34CN10NGATMA1.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | IPB34CN10NGATMA1 |
|---|---|
| производитель | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Описание | MOSFET N-CH 100V 27A TO263-3 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 6110 pcs |
| Спецификация | IPB34CN10NGATMA1.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 29µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | D²PAK (TO-263AB) |
| Серии | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 27A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 58W (Tc) |
| упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Другие названия | IPB34CN10N G IPB34CN10N G-ND IPB34CN10NGATMA1TR SP000277693 |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1570pF @ 50V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 24nC @ 10V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100V |
| Подробное описание | N-Channel 100V 27A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 27A (Tc) |








MOSFET N-CHANNEL_100+
MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3
MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3

TRENCH >=100V PG-TO263-3

N-CHANNEL POWER MOSFET

TRENCH >=100V PG-TO263-3
MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2
MOSFET N-CH TO263-3
MOSFET N-CH 200V 34A TO263-3
MOSFET N-CH TO263-3