IPC100N04S51R9ATMA1

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN IPC100N04S51R9ATMA1, к счастью, вы попали в нужное место, вы получите все детали в новом и оригинальном состоянии в RX Electronics. Низковольтный N-канальный мощный мосфет, предназначенный для эффективных применений переключения. Это устройство оснащено сверхнизким RDS (ON) 0,4 мгм в VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери проводимости и максимизацию эффективности системы. Его надежная конструкция поддерживает напряжение источника дренажного источника (VDS) 40 В и может обрабатывать непрерывные дренажные токи до 260А, что делает его подходящим для требования промышленной и автомобильной среды.

Ключевые характеристики включают быстрые скорости переключения, превосходную тепловую стабильность и повышенную прочность против электрической чрезмерной стрессы. IPC100N04S51R9ATMA1 упакован в корпус до 247, обеспечивая превосходное рассеяние тепла и простоту интеграции в существующие конструкции.

Этот MOSFET идеально подходит для использования в преобразователях DC-DC, системах управления двигателями, управлением аккумуляторами и приложениями для возобновляемой энергии, где надежность и эффективность имеют первостепенное значение. Его компактная, но мощная производительность делает его предпочтительным выбором для инженеров, стремящихся оптимизировать доставку мощности в проектах с ограниченными пространством. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нашей команде по продажам по адресу info@rxelectronics.com для дальнейших обсуждений.