IPP05N03LB G

Подробности продукции

Поиск надежного источника для PN IPP05N03LB G имеет решающее значение, к счастью, вы попали в нужное место, вы получите подлинный и надежный источник продуктов на RX Electronics. Power MOSFET, предназначенный для эффективных приложений переключения. Это устройство имеет низкий уровень устойчивости (RDS (ON)) 5,2 МОм при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери мощности и повышенную эффективность. С максимальным напряжением источника дренажного источника (VDS) 30 В и непрерывным током дренажа (ID) 74a, он хорошо подходит для требовательной промышленной и автомобильной среды. IPP05N03LB G работает в пределах температурного диапазона от -55 ° C до +175 ° C, что делает его устойчивым по сравнению с экстремальными условиями. Его пакет компактной до 263-3 предлагает превосходные тепловые характеристики и простоту интеграции в различные конструкции схемы. Этот MOSFET, идеально подходящий для управления двигателем, расходных материалов и систем управления аккумуляторами, обеспечивает надежную производительность с быстрой скоростью переключения и низким зарядом. Приверженность Infineon качеству гарантирует, что это устройство соответствует строгим отраслевым стандартам, предоставляя инженерам надежное решение для их потребностей в электронике. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нашей команде по продажам по адресу info@rxelectronics.com для дальнейших обсуждений.