IRFH5302DTRPBF

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN IRFH5302DTRPBF, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите все детали в новом и оригинальном состоянии в RX Electronics. Он имеет низкое сопротивление в государстве (RDS (ON)) 1,8 МОм при VGS = 10 В, что обеспечивает эффективное преобразование мощности и минимальные потери проводимости. С рейтингом напряжения источника дренажного источника (VDS) 30 В и непрерывной способностью (ID) непрерывного потока (ID) до 171А, он идеально подходит для требовательных применений, требующих высокого обработки тока. Устройство работает в диапазоне температуры соединения от -55 ° C до 175 ° C, обеспечивая надежность в различных средах. Его быстрые возможности переключения уменьшают потери переключения, что делает его подходящим для преобразователей DC-DC, управления двигателем и систем управления аккумуляторами. Упакованный термически улучшенным до 263-3L (D2PAK), он предлагает превосходную термическую диссипацию. Эта комбинация MOSFET с низкой RDS (ON), высокой токовой мощностью и тепловой эффективностью обеспечивает значительные преимущества в плотности мощности и надежности системы для промышленных и автомобильных приложений. Посетите нашу команду по продажам по адресу info@rxelectronics.com при более раннем удобстве. Мы уверены, что наша команда не разочарует вас. Спасибо за рассмотрение RX Electronics.