Номер детали производителя : | RFN10B3STL | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | LAPIS Semiconductor | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GEN PURP 350V 10A CPD | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | RFN10B3STL(1).pdfRFN10B3STL(2).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | RFN10B3STL |
---|---|
производитель | LAPIS Semiconductor |
Описание | DIODE GEN PURP 350V 10A CPD |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | RFN10B3STL(1).pdfRFN10B3STL(2).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.5 V @ 10 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 350 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | CPD |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 30 ns |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | 150°C (Max) |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 10 µA @ 350 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 10A |
Емкостной @ В.Р., F | - |
Базовый номер продукта | RFN10 |
N MALE-4.1/9.5 FEMALE
DIODE GEN PURP 600V 10A TO252
N Male; Low PIM
DIODE GEN PURP 600V 10A TO252GE
DIODE GEN PURP 350V 10A TO252GE
DIODE GEN PURP 350V 10A TO252
N MALE-N MALE; R/A
DIODE GEN PURP 350V 10A TO252
N Male; Low PIM
N FEMALE-4.1/9.5 FEMALE