Номер детали производителя : | RFN10BGE6STL |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | LAPIS Semiconductor |
Состояние на складе : | 2043 pcs Stock |
Описание : | DIODE GEN PURP 600V 10A TO252GE |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | RFN10BGE6STL |
---|---|
производитель | LAPIS Semiconductor |
Описание | DIODE GEN PURP 600V 10A TO252GE |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 2043 pcs |
Спецификация | |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.55 V @ 10 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | TO-252GE |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 50 ns |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | 150°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 10 µA @ 600 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 10A |
Емкостной @ В.Р., F | - |
Базовый номер продукта | RFN10 |
N Male; Low PIM
DIODE GEN PURP 350V 10A CPD
DIODE GEN PURP 600V 10A TO252
DIODE GEN PURP 350V 10A TO252
N MALE-N MALE; R/A
DIODE GEN PURP 600V 10A TO252
DIODE GEN PURP 350V 10A LPDS
DIODE GEN PURP 350V 10A TO252GE
DIODE GEN PURP 350V 10A TO252
N Male; Low PIM