Номер детали производителя : | RFN10BGE3STL |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | LAPIS Semiconductor |
Состояние на складе : | 90 pcs Stock |
Описание : | DIODE GEN PURP 350V 10A TO252GE |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | RFN10BGE3STL |
---|---|
производитель | LAPIS Semiconductor |
Описание | DIODE GEN PURP 350V 10A TO252GE |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 90 pcs |
Спецификация | |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.5 V @ 10 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 350 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | TO-252GE |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 30 ns |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | 150°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 10 µA @ 350 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 10A |
Емкостной @ В.Р., F | - |
Базовый номер продукта | RFN10 |
DIODE GEN PURP 350V 10A TO252
N Male; Low PIM
N MALE-4.1/9.5 FEMALE
N Male; Low PIM
DIODE GEN PURP 600V 10A TO252
DIODE GEN PURP 350V 10A CPD
DIODE GEN PURP 350V 10A TO252
DIODE GEN PURP 600V 10A TO252
DIODE GEN PURP 600V 10A TO252GE
N MALE-N MALE; R/A