| Номер детали производителя : | VT6T12T2R |
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | LAPIS Semiconductor |
| Состояние на складе : | 7875 pcs Stock |
| Описание : | TRANS GP BJT PNP 50V 0.1A 6-PIN |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | VT6T12T2R(1).pdfVT6T12T2R(2).pdfVT6T12T2R(3).pdfVT6T12T2R(4).pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | VT6T12T2R |
|---|---|
| производитель | LAPIS Semiconductor |
| Описание | TRANS GP BJT PNP 50V 0.1A 6-PIN |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | 7875 pcs |
| Спецификация | VT6T12T2R(1).pdfVT6T12T2R(2).pdfVT6T12T2R(3).pdfVT6T12T2R(4).pdf |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
| Тип транзистор | 2 PNP (Dual) |
| Поставщик Упаковка устройства | VMT6 |
| Серии | - |
| Мощность - Макс | 150mW |
| Упаковка / | 6-SMD, Flat Leads |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Частота - Переход | 300MHz |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 100nA (ICBO) |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
| Базовый номер продукта | VT6T12 |







TRANS 2NPN 20V 0.2A 6VMT
MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
PNP+PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIC
PNP+PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIC
MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6
NPN+NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6

Elbowscrew-inconn.swiv.,P14,M5,4
PNP+PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIC
NPN+NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC