Номер детали производителя : | VT6T1T2R |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | LAPIS Semiconductor |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | PNP+PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIC |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | VT6T1T2R(1).pdfVT6T1T2R(2).pdfVT6T1T2R(3).pdfVT6T1T2R(4).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | VT6T1T2R |
---|---|
производитель | LAPIS Semiconductor |
Описание | PNP+PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIC |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | VT6T1T2R(1).pdfVT6T1T2R(2).pdfVT6T1T2R(3).pdfVT6T1T2R(4).pdf |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 20V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
Тип транзистор | 2 PNP (Dual) |
Поставщик Упаковка устройства | VMT6 |
Серии | - |
Мощность - Макс | 150mW |
Упаковка / | 6-SMD, Flat Leads |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Частота - Переход | 350MHz |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 100nA (ICBO) |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 200mA |
Базовый номер продукта | VT6T1 |
PNP+PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIC
MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
TRANS 2NPN 50V 0.1A 6VMT
MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6
TRANS GP BJT PNP 50V 0.1A 6-PIN
NPN+NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC
PNP+PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIC
TRANS 2NPN 20V 0.2A 6VMT
NPN+NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6