| Номер детали производителя : | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR |
|---|---|
| Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Изготовитель / Производитель : | Micron Technology |
| Состояние на складе : | 455 pcs Stock |
| Описание : | IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR |
|---|---|
| производитель | Micron Technology |
| Описание | IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 455 pcs |
| Спецификация | |
| Время цикла записи - слово, страница | - |
| Напряжение тока - поставка | 1.8V |
| Технологии | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
| Серии | - |
| упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Другие названия | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR-ND MT29RZ4B2DZZHGSK-18W.80ETR |
| Рабочая Температура | -25°C ~ 85°C (TA) |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Тип памяти | Non-Volatile |
| Размер памяти | 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) |
| Интерфейс памяти | Parallel |
| Формат памяти | FLASH, RAM |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Подробное описание | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 Memory IC 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) Parallel 533MHz |
| Тактовая частота | 533MHz |








IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

MASSFLASH/LPDDR2 6G

IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ

IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ