Номер детали производителя : | A2T18S262W12NR3 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | NXP Semiconductors / Freescale |
Состояние на складе : | 2750 pcs Stock |
Описание : | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | A2T18S262W12NR3.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | A2T18S262W12NR3 |
---|---|
производитель | NXP Semiconductors / Freescale |
Описание | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 2750 pcs |
Спецификация | A2T18S262W12NR3.pdf |
Напряжение - испытания | 28V |
Напряжение - Номинальный | 65V |
Тип транзистор | LDMOS |
Поставщик Упаковка устройства | OM-880X-2L2L |
Серии | - |
Выходная мощность | 231W |
Упаковка / | OM-880X-2L2L |
Другие названия | 935346497528 |
Коэффициент шума | - |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 3 (168 Hours) |
Усиление | 19.3dB |
частота | 1.805GHz ~ 1.88GHz |
Подробное описание | RF Mosfet LDMOS 28V 1.6A 1.805GHz ~ 1.88GHz 19.3dB 231W OM-880X-2L2L |
Текущий рейтинг | 10µA |
Ток - Тест | 1.6A |
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
FET RF 1.8GHZ 166W NI-780S-2L2
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
IC TRANS RF LDMOS
IC RF LDMOS TRANS CELL
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
RF MOSFET LDMOS DUAL 28V OM780-4