Номер детали производителя : | A2V09H400-04SR3 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | NXP Semiconductors / Freescale |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | A2V09H400-04SR3(1).pdfA2V09H400-04SR3(2).pdfA2V09H400-04SR3(3).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | A2V09H400-04SR3 |
---|---|
производитель | NXP Semiconductors / Freescale |
Описание | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | A2V09H400-04SR3(1).pdfA2V09H400-04SR3(2).pdfA2V09H400-04SR3(3).pdf |
Напряжение - испытания | 48 V |
Напряжение - Номинальный | 105 V |
Технологии | LDMOS |
Поставщик Упаковка устройства | NI-780S-4L |
Серии | - |
Выходная мощность | 102W |
Упаковка / | NI-780S-4L |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Коэффициент шума | - |
Тип установки | Surface Mount |
Усиление | 18.7dB |
частота | 720MHz ~ 960MHz |
Текущий рейтинг (AMP) | 10µA |
Ток - Тест | 750 mA |
конфигурация | Dual |
RF REFERENCE CIRCUIT 28W 2400MHZ
AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
120W GAN HEMT 28V 2.5-2.7GHZ FET
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO