| Номер детали производителя : | A2V09H400-04SR3 |
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | NXP Semiconductors / Freescale |
| Состояние на складе : | - |
| Описание : | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | A2V09H400-04SR3(1).pdfA2V09H400-04SR3(2).pdfA2V09H400-04SR3(3).pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | A2V09H400-04SR3 |
|---|---|
| производитель | NXP Semiconductors / Freescale |
| Описание | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | В наличии |
| Спецификация | A2V09H400-04SR3(1).pdfA2V09H400-04SR3(2).pdfA2V09H400-04SR3(3).pdf |
| Напряжение - испытания | 48 V |
| Напряжение - Номинальный | 105 V |
| Технологии | LDMOS |
| Поставщик Упаковка устройства | NI-780S-4L |
| Серии | - |
| Выходная мощность | 102W |
| Упаковка / | NI-780S-4L |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Коэффициент шума | - |
| Тип установки | Surface Mount |
| Усиление | 18.7dB |
| частота | 720MHz ~ 960MHz |
| Текущий рейтинг (AMP) | 10µA |
| Ток - Тест | 750 mA |
| конфигурация | Dual |







RF REFERENCE CIRCUIT 28W 2400MHZ
76-ELEMENT SILICON PHOTODIODE AR
AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR

120W GAN HEMT 28V 2.5-2.7GHZ FET
16-ELEMENT SILICON PHOTODIODE AR
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO