MRF6S21060NR1

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN MRF6S21060NR1, к счастью, вы попали в нужное место, вы получите все детали в новом и оригинальном состоянии в RX Electronics. MRF6S21060NR1 от NXP USA Inc. Performance LDMOS RF Power Transistor, разработанная для использования в коммерческих и промышленных радиочастотных приложениях. Он работает эффективно в диапазоне частот 50-70 МГц, обеспечивая до 600 Вт выходной мощности RF. Это устройство обладает превосходной тепловой стабильностью и надежностью, что делает его подходящим для непрерывной работы в суровых условиях.

Ключевые характеристики включают высокий усиление, широкую полосу пропускания и превосходную линейность. MRF6S21060NR1 поддерживает расширенные схемы модуляции, обеспечивая минимальное искажение сигнала. Его надежный дизайн обеспечивает легкую интеграцию в различные системы радиочастотных усилий. Приложения охватывают по всему трансляции, аэрокосмической, оборонительной и телекоммуникационной секторам, особенно в передатчиках, требующих мощного рамкого раствора. Компактная площадь устройства и эффективная производительность способствуют экономии пространства, сохраняя при этом оптимальную эффективность энергии. В целом, этот транзистор предлагает надежное решение для требования потребностей в усилении РЧ. Проверка цитата MRF6S21060NR1 и оставьте свое сообщение по адресу info@rxelectronics.com.