MRF6S9125MR1

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN MRF6S9125MR1, к счастью, вы попали в нужное место, вы получите все части в новом и оригинальном состоянии в RX Electronics. MRF6S9125MR1 от NXP USA Inc. Производительность LDMOS RF Power Transistor, разработанная для использования в приложениях сотовой базовой станции. Это устройство работает в диапазоне частот 1800-2200 МГц и обеспечивает выходную мощность до 125 Вт. Он обладает превосходной линейностью и эффективностью, что делает его идеальным для современных систем связи, которые требуют высокой спектральной эффективности.

Ключевые преимущества включают его надежный дизайн, который обеспечивает надежную работу в суровых условиях и его способность обрабатывать высокие уровни мощности с минимальным тепловым рассеянием. MRF6S9125MR1 также поддерживает расширенные схемы модуляции, повышая ее универсальность в различных приложениях беспроводной инфраструктуры. Его компактный след снижает общий размер и стоимость системы, сохраняя при этом превосходную производительность.

Этот транзистор широко используется на базовых станциях LTE и 5G, ретрансляторах и других системах радиочастотной амплификации, где высокая мощность и надежность имеют решающее значение. Его эффективная производительность и долговечность делают его предпочтительным выбором для инженеров, проектирующих оборудование для коммуникации следующего поколения. Цена и время за выполнение MRF6S9125MR1 В зависимости от необходимого количества, пожалуйста, отправьте нам запрос, наша команда продаж предоставит вам цену и доставку в течение 24 Часы, мы искренне с нетерпением ждем возможности сотрудничать с вами.