| Номер детали производителя : | MRF6VP2600HR6 | Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
|---|---|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | NXP Semiconductors / Freescale | Состояние на складе : | 350 pcs Stock |
| Описание : | FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230 | Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | MRF6VP2600HR6.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | MRF6VP2600HR6 |
|---|---|
| производитель | NXP Semiconductors / Freescale |
| Описание | FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 350 pcs |
| Спецификация | MRF6VP2600HR6.pdf |
| Напряжение - испытания | 50V |
| Напряжение - Номинальный | 110V |
| Тип транзистор | LDMOS (Dual) |
| Поставщик Упаковка устройства | NI-1230 |
| Серии | - |
| Выходная мощность | 125W |
| упаковка | Cut Tape (CT) |
| Упаковка / | NI-1230 |
| Другие названия | MRF6VP2600HR6CT |
| Коэффициент шума | - |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Усиление | 25dB |
| частота | 225MHz |
| Подробное описание | RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 2.6A 225MHz 25dB 125W NI-1230 |
| Текущий рейтинг | - |
| Ток - Тест | 2.6A |
| Номер базового номера | MRF6VP2600 |







FET RF 2CH 115V 860MHZ TO272-4
FET RF 2CH 115V 860MHZ TO272-4
FET RF 2CH 115V 860MHZ TO272-4
LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF
FET RF 2CH 115V 860MHZ TO270-4
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF P
FET RF 2CH 110V 225MHZ NI-1230
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
RF 2-ELEMENT, ULTRA HIGH FREQUE