Номер детали производителя : | MRF6VP2600HR6 | Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | NXP Semiconductors / Freescale | Состояние на складе : | 350 pcs Stock |
Описание : | FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230 | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | MRF6VP2600HR6.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | MRF6VP2600HR6 |
---|---|
производитель | NXP Semiconductors / Freescale |
Описание | FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 350 pcs |
Спецификация | MRF6VP2600HR6.pdf |
Напряжение - испытания | 50V |
Напряжение - Номинальный | 110V |
Тип транзистор | LDMOS (Dual) |
Поставщик Упаковка устройства | NI-1230 |
Серии | - |
Выходная мощность | 125W |
упаковка | Cut Tape (CT) |
Упаковка / | NI-1230 |
Другие названия | MRF6VP2600HR6CT |
Коэффициент шума | - |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Усиление | 25dB |
частота | 225MHz |
Подробное описание | RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 2.6A 225MHz 25dB 125W NI-1230 |
Текущий рейтинг | - |
Ток - Тест | 2.6A |
Номер базового номера | MRF6VP2600 |
FET RF 2CH 115V 860MHZ TO272-4
FET RF 2CH 115V 860MHZ TO272-4
FET RF 2CH 115V 860MHZ TO272-4
LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF
FET RF 2CH 115V 860MHZ TO270-4
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF P
FET RF 2CH 110V 225MHZ NI-1230
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
RF 2-ELEMENT, ULTRA HIGH FREQUE