Номер детали производителя : | PCDB20120G1_R2_00001 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | PANJIT |
Состояние на складе : | 2400 pcs Stock |
Описание : | DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO263 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | PCDB20120G1_R2_00001(1).pdfPCDB20120G1_R2_00001(2).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | PCDB20120G1_R2_00001 |
---|---|
производитель | PANJIT |
Описание | DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO263 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 2400 pcs |
Спецификация | PCDB20120G1_R2_00001(1).pdfPCDB20120G1_R2_00001(2).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.7 V @ 20 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1200 V |
Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Поставщик Упаковка устройства | TO-263 |
скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 180 µA @ 1200 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 20A |
Емкостной @ В.Р., F | 1040pF @ 1V, 1MHz |
Базовый номер продукта | PCDB20120 |
DIODE SIL CARBIDE 650V 10A TO263
DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO252AA
DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO263
1200V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE
1200V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE
DIODE SIL CARB 650V 4A TO252AA
650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE
DIODE SIL CARB 1.2KV 8A TO252AA
DIODE SIL CARB 650V 6A TO252AA
650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE