| Номер детали производителя : | PCDD08120G1_L2_00001 |
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | PANJIT |
| Состояние на складе : | 2893 pcs Stock |
| Описание : | DIODE SIL CARB 1.2KV 8A TO252AA |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | PCDD08120G1_L2_00001.pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | PCDD08120G1_L2_00001 |
|---|---|
| производитель | PANJIT |
| Описание | DIODE SIL CARB 1.2KV 8A TO252AA |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | 2893 pcs |
| Спецификация | PCDD08120G1_L2_00001.pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.7 V @ 8 A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1200 V |
| Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-252AA |
| скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Серии | - |
| Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
| Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
| Тип установки | Surface Mount |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 60 µA @ 1200 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 8A |
| Емкостной @ В.Р., F | 418pF @ 1V, 1MHz |
| Базовый номер продукта | PCDD08120 |








DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO252AA

DIODE SIL CARB 650V 10A TO252AA

PCDD26M98S00Z

DIODE SIL CARB 650V 8A TO252AA

PCDD26S98S0T2X

1200V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE

DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO263

DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO252AA

DIODE SIL CARB 650V 6A TO252AA

DIODE SIL CARB 650V 4A TO252AA