| Номер детали производителя : | 2SJ668(TE16L1,NQ) | Статус RoHS : | Соответствует RoHS |
|---|---|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | Toshiba Semiconductor and Storage | Состояние на складе : | - |
| Описание : | MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD | Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | 2SJ668(TE16L1,NQ).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | 2SJ668(TE16L1,NQ) |
|---|---|
| производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Описание | MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | В наличии |
| Спецификация | 2SJ668(TE16L1,NQ).pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PW-MOLD |
| Серии | U-MOSIII |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 2.5A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 20W (Tc) |
| Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | 150°C |
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 700 pF @ 10 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Тип FET | P-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 5A (Ta) |
| Базовый номер продукта | 2SJ668 |







MOSFET P-CH 100V 27A TO263
P-CHANNEL SILICON MOSFET
P-CHANNEL SILICON MOSFET
MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD

MOSFET P-CH 20V 20A TO-252
P-CHANNEL SILICON MOSFET
MOSFET P-CH 100V 27A SMP-FD
2SJ670 - P-CHANNEL SILICON MOSFE

MOSFET P-CH 60V 36A TO-220
P-CHANNEL SILICON MOSFET