Номер детали производителя : | 2SK1119(F) | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | Toshiba Semiconductor and Storage | Состояние на складе : | - |
Описание : | MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | 2SK1119(F)(1).pdf2SK1119(F)(2).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | 2SK1119(F) |
---|---|
производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
Описание | MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | 2SK1119(F)(1).pdf2SK1119(F)(2).pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | TO-220AB |
Серии | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8Ohm @ 2A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 100W (Tc) |
Упаковка / | TO-220-3 |
Упаковка | Tube |
Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
Тип установки | Through Hole |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 700 pF @ 25 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 1000 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 4A (Ta) |
Базовый номер продукта | 2SK1119 |
JFET N-CH
N-CHANNEL POWER MOSFET
JFET N-CH 20MA MINI3-G1
N-CHANNEL POWER MOSFET
N-CHANNEL POWER MOSFET
N-CHANNEL POWER MOSFET
N-CHANNEL POWER MOSFET
N-CHANNEL POWER MOSFET
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET