| Номер детали производителя : | HN1C03F-B(TE85L,F) |
|---|---|
| Статус RoHS : | Соответствует RoHS |
| Изготовитель / Производитель : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Состояние на складе : | - |
| Описание : | TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6 |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | HN1C03F-B(TE85L,F).pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | HN1C03F-B(TE85L,F) |
|---|---|
| производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Описание | TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | В наличии |
| Спецификация | HN1C03F-B(TE85L,F).pdf |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 20V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 100mV @ 3mA, 30mA |
| Тип транзистор | 2 NPN (Dual) |
| Поставщик Упаковка устройства | SM6 |
| Серии | - |
| Мощность - Макс | 300mW |
| Упаковка / | SC-74, SOT-457 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Частота - Переход | 30MHz |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 350 @ 4mA, 2V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 100nA (ICBO) |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 300mA |
| Базовый номер продукта | HN1C03 |







AUTO AEC-Q NPN + NPN TR VCEO:50V
NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO50
DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20
DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6
TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6
AUTO AEC-Q NPN + NPN TR VCEO:50V
DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6