| Номер детали производителя : | RN1312(TE85L,F) |
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Состояние на складе : | 2845 pcs Stock |
| Описание : | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | RN1312(TE85L,F) |
|---|---|
| производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Описание | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | 2845 pcs |
| Спецификация | |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50 V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Тип транзистор | NPN - Pre-Biased |
| Поставщик Упаковка устройства | SC-70 |
| Серии | - |
| Резистор - основание (R1) | 22 kOhms |
| Мощность - Макс | 150 mW |
| Упаковка / | SC-70, SOT-323 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Частота - Переход | 250 MHz |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 100nA (ICBO) |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100 mA |
| Базовый номер продукта | RN1312 |







AUTO AEC-Q NPN BRT, Q1BSR=4.7K,
PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW F 2
PB-F BIAS RESISTOR BUILT-IN TRAN
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
AUTO AEC-Q SINGLE NPN , R1=10KOH
AUTO AEC-Q NPN BRT IC:0.1A, VCEO
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM