Номер детали производителя : | RN2712JE(TE85L,F) |
---|---|
Статус RoHS : | Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | Toshiba Semiconductor and Storage |
Состояние на складе : | 4000 pcs Stock |
Описание : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | RN2712JE(TE85L,F) |
---|---|
производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
Описание | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 4000 pcs |
Спецификация | |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Тип транзистор | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
Поставщик Упаковка устройства | ESV |
Серии | - |
Резистор - основание эмиттера (R2) | - |
Резистор - основание (R1) | 22kOhms |
Мощность - Макс | 100mW |
Упаковка / | SOT-553 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Тип установки | Surface Mount |
Частота - Переход | 200MHz |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 100nA (ICBO) |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
Базовый номер продукта | RN2712 |
PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=4
PNPX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH
PNPX2 BRT Q1BSR1KOHM Q1BER10KOHM
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
PNP X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=I
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV