Номер детали производителя : | TPC6503(TE85L,F,M) | Статус RoHS : | Соответствует RoHS |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | Toshiba Semiconductor and Storage | Состояние на складе : | - |
Описание : | TRANS NPN 30V 1.5A VS-6 | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | TPC6503(TE85L,F,M).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | TPC6503(TE85L,F,M) |
---|---|
производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
Описание | TRANS NPN 30V 1.5A VS-6 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | TPC6503(TE85L,F,M).pdf |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 30 V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 120mV @ 10mA, 500mA |
Тип транзистор | NPN |
Поставщик Упаковка устройства | VS-6 (2.9x2.8) |
Серии | U-MOSVII |
Мощность - Макс | 1.6 W |
Упаковка / | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Частота - Переход | - |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 400 @ 150mA, 2V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 100nA (ICBO) |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 1.5 A |
Базовый номер продукта | TPC6503 |
TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC TO277A
TRANS NPN/PNP 50V 6VS
TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC TO277A
MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A
MOSFET P-CH 30V 5A VS-6
TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC TO277A
MOSFET P-CH 20V 5A VS-6
TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC TO277A
MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6
MOSFET P-CH 30V 4.5A VS6