| Номер детали производителя : | CS3J-E3/I |
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
| Состояние на складе : | 10 pcs Stock |
| Описание : | DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AB |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | CS3J-E3/I(1).pdfCS3J-E3/I(2).pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | CS3J-E3/I |
|---|---|
| производитель | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
| Описание | DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AB |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | 10 pcs |
| Спецификация | CS3J-E3/I(1).pdfCS3J-E3/I(2).pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.15 V @ 3 A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600 V |
| Технологии | Standard |
| Поставщик Упаковка устройства | DO-214AB (SMC) |
| скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Серии | - |
| Обратное время восстановления (ТИР) | 2.8 µs |
| Упаковка / | DO-214AB, SMC |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
| Тип установки | Surface Mount |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 5 µA @ 600 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 2A |
| Емкостной @ В.Р., F | 26pF @ 4V, 1MHz |
| Базовый номер продукта | CS3 |







DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AB
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
RES 0.06 OHM 3W 1% 4SIP
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
DIODE GPP 1000V 3.0A DO-214AB
DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AB
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
RES 0.05 OHM 1% 3W 4SIP
DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AB
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB